B‑SOI(Bonded SOI)
高精度鍵合式SOI晶圓
專為 MEMS與功率半導體量產應用設計
睿晶科技B‑SOI 採用成熟且可量產的鍵合製程，提供穩定的層厚控制，優異的界面品質與高度一致性，適合從研發到量產的各階段需求。
產品特色
- 高品質晶圓鍵合（Wafer Bonding）
確保 Device wafer / BOX / Handle wafer 之間具備優異界面品質 - 精準層厚控制
Device wafer 與 BOX 厚度可依應用需求客製化調整 - 高良率 × 高一致性
適用於 MEMS 與功率元件之量產導入 - 製程相容性佳
可無縫整合主流 MEMS / CMOS 製程
典型規格範圍（可客製）
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項目 |
規格範圍 |
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晶圓尺寸 |
6 吋 / 8 吋（依專案評估） |
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Device Layer 厚度 |
± 0.45µm – 305µm |
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BOX 厚度 |
± 0.1 – 5µm |
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電阻率 |
依客戶需求指定 |
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表面粗糙度 |
符合高階 MEMS 要求 |
主要應用
MEMS元件
- 壓力感測器
- 加速度計 / 陀螺儀
- 微鏡（MEMS Mirror）
功率元件
- 功率 IC 與特殊結構元件
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