M-SOI(Multi-layers SOI)
多層器件層 SOI 晶圓
M-SOI不只是單層的矽/氧化層結構，而是透過精密製程在同一晶圓上實現多層矽器件層 (Device Layers) 的垂直堆疊，每層之間由絕緣埋氧層 (BOX) 完美隔離。
產品技術優勢
1.極致隔離，消除干擾
- 優化描述：利用多層 BOX 物理隔絕，將寄生電容與電串擾降至最低。
- 應用價值：對於 AI 資料中心所需的高速光路傳輸而言，這是確保訊號純淨，降低誤碼率的最佳選擇。
2.高集成度：縮小使用面積
- 優化描述：實現垂直3D整合，將感測器、驅動電路與處理器疊在一起。
- 應用價值：對接CPO (共同封裝)需求，解決機櫃空間受限問題。
3.設計自由度：異質整合的起點
- 優化描述：每層矽層的厚度、摻雜濃度、晶體取向均可獨立客製化。
- 應用價值：第一層用來做低功耗運算，第二層用來承受高電壓驅動 MEMS。
典型規格範圍（可客製）
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項目 |
規格範圍 |
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晶圓尺寸 |
6 吋 / 8 吋（依專案評估） |
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Device Layer 厚度 |
± 0.45µm – 305µm |
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BOX 厚度 |
± 0.1 – 5µm |
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電阻率 |
依客戶需求指定 |
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表面粗糙度 |
符合高階 MEMS 要求 |
主要應用
MEMS 元件
- 壓力感測器
- 加速度計 / 陀螺儀
- 微鏡（MEMS Mirror）
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