Epi-SOI(Epitaxial SOI)
高品質磊晶式SOI晶圓
專為矽光子、高速光電與先進元件結構打造
睿晶Epi-SOI 結合高品質外延成長與 SOI 架構優勢，提供極低缺陷密度，優異厚度均勻性與電性控制，適合對界面與材料品質高度敏感的先進應用。
產品特色
- 高品質外延層（Epitaxy）
低缺陷密度，優異結晶品質，適合高速與光電應用 - 精準摻雜與厚度控制
支援客製化電阻率與結構設計 - 界面品質優異
降低光學與電性損耗，提升元件效能 - 先進製程相容性
適合矽光子，先進 CMOS 與異質整合產品
典型規格範圍（可客製）
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項目 |
規格範圍 |
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晶圓尺寸 |
6 吋 / 8 吋（依專案評估） |
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Epi Layer 厚度 |
± 0.3 – 100µm |
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BOX 厚度 |
± 0.1 – 5µm |
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摻雜型態 |
N-type / P-type |
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電阻率 |
客製化指定 |
主要應用
- 矽光子（Silicon Photonics）
- 高速光電元件
- 先進邏輯與異質整合架構
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