S-SOI (Superior-SOI)
在SOI晶圓的製造流程中，器件層（Device Layer）厚度的均勻性，是決定終端半導體元件性能，可靠度與量產良率的核心指標。
隨著新高精度 MEMS 感測器與矽光子（Silicon Photonics）元件，對厚度公差的要求快速收斂至奈米甚至次奈米尺度，傳統減薄與化學機械拋光（CMP）技術，正逐步逼近其物理與製程極限。
在此背景下，離子束加工減薄（Ion Beam Trimming, IBT）作為一種超精密表面修整技術，已成為確保 S-SOI 基板達成極致厚度均勻性 的關鍵製程。
典型規格範圍（可客製）
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項目 |
規格範圍 |
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晶圓尺寸 |
6 吋 / 8 吋（依專案評估） |
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Device Layer 厚度 |
± 0.45µm – 305µm |
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BOX 厚度 |
± 0.1 – 5µm |
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電阻率 |
依客戶需求指定 |
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表面粗糙度 |
符合高階 MEMS 要求 |
主要應用
- 高精度 MEMS 與感測器
- 矽光子（Silicon Photonics）
- 低功耗、高效能運算與 IoT 元件
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