SOI

高精度SOI晶圓與客製化製程解決方案

專注於 MEMS，功率半導體與矽光子高可靠度應用

從材料設計到製程整合，睿晶科技提供穩定，可量產的SOI/DSP晶圓解決方案，協助客戶加速產品上市。

核心優勢

多樣化SOI / DSP技術平台：B‑SOI，M‑SOI，Cavity‑SOI，S‑SOI，Epi‑SOI與DSP
高度客製能力：支援厚度，電阻率，BOX層等參數調整
製程穩定 × 高一致性：適用量產與高可靠度需求
產業經驗導向：深耕 MEMS 與先進半導體產業

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SOI技術比較總覽

B-SOI vs Cavity-SOI vs Epi-SOI vs S-SOI

項目	B-SOI	Cavity-SOI	Epi-SOI	S-SOI
製程方式	晶圓鍵合	預先形成空腔 + 鍵合	外延 + SOI	晶圓鍵合
是否具空腔	否	是（內建 Cavity）	否	否
層厚控制	高	高	高	極高
材料缺陷	低	低	極低	低
製程複雜度	中	低（省後段蝕刻/鍵合）	中～高	中
客製彈性	高	高（結構導向）	極高	高

如何選擇適合的SOI技術？

追求成熟量產與廣泛相容性 → B-SOI
需要內建空腔，簡化MEMS製程 → Cavity-SOI
重視材料品質與電性/光學表現 → Epi-SOI
極致厚度均勻性表現 → S-SOI

Cavity-SOI
具空腔結構的SOI晶圓

簡化 MEMS 製程 × 提升良率 × 高結構自由度

睿晶Cavity-SOI 在 SOI 結構中預先形成精準空腔，減少後段 DRIE 蝕刻與鍵合步驟，提供高品質，可量產的 MEMS 結構解決方案。

產品特色

內建空腔結構
可作為 MEMS 感測器或可動元件的空間，減少後段製程複雜度
製程簡化
減少 DRIE 深蝕刻與鍵合需求，降低良率風險
高結構自由度
適合多樣化 MEMS 元件設計，包括壓力感測器，微鏡及真空腔體 MEMS
量產穩定性高
客製化層厚與空腔設計，保持一致性與可靠性

典型規格範圍（可客製）

項目	規格範圍
晶圓尺寸	6 吋 / 8 吋
Device Layer 厚度	± 5.0 – 305µm
BOX 厚度	± 0.1 – 5.0µm
空腔深度	由客戶定義
空腔形狀	長方形，圓形或依客戶需求客製化
電阻率	客製化指定

主要應用

壓力感測器（Pressure Sensor）
加速度計 / 陀螺儀（Accelerometer / Gyroscope）
MEMS 微鏡 / 掃描器（Mirror / Scanner）
真空腔體 MEMS

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共創永續價值，實踐企業責任

透過節能減碳、透明治理與社會參與，我們打造兼顧產業發展與環境保護的永續藍圖。